7月2日消息 据外媒 prnewswire 今日报道，SK 海力士宣布，其已能够大规模批量生产新一代高速 “HBM2E” DRAM 芯片。

IT之家了解到，去年 8 月 SK 海力士宣布成功研发出新一代 DRAM 内存 / 显存芯片 “HBM2E”。今日，海力士正式已成功量产这一代 HBM2E 存储。

官方称其 HBM2E 拥有每 pin 3.6Gbps 的性能、每秒 460GB 以上的带宽、 共 1024 个 I / O(输入 / 输出)。HBM2E 通过 TSV(Through Silicon Via)硅穿孔技术垂直堆叠八颗 16Gb DRAM 芯片，容量达16GB，是上一代产品(HBM2)两倍以上的容量。

值得一提的是，SK 海力士也是第一个研发出 HBM 存储的厂商。首发于 2015 年的 AMD Radeon Fury 显卡中。

海力士还表示，HBM2E 是适合深度学习加速器(deep learning accelerator)、高性能计算机等新一代人工智能(AI)系统的存储器解决方案，将用于更多合作伙伴的产品。

注：

HBM：High Bandwidth Memory，高带宽内存，相较传统 DRAM，借助 TSV 技术提升数据处理速度的高性能、高带宽存储器产品

TSV(Through Silicon Via)：硅打孔技术，通过在 DRAM 芯片打上数千个细微孔并通过垂直贯通的电极连接上下芯片的技术，可降低芯片功耗以及缩减芯片体积。

460GB/s 计算：以每 pin 3.6Gbps 的速度通过 1024 个数据 I/O = 3686.4Gbps=460.8GB/s。